Diodes Inc. DMN2004DWK-7
$ 0.189
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMN2004DWK-7 | 0 | 1 | 23h | ||||||||
| Newark | DMN2004DWK-7 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMN2004DWK-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMN2004DWK-7 | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN2004DWK-7 | 0 | 3K |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN2004DWK-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 540mA 6-Pin SOT-363 T/R
Avnet Japan
Dual N-Channel 20 V 550 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet-SOT-363
Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
MOSFET, AEC-Q101, DUAL N-CH, 20V, SOT363; Transistor Polarity:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:540mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.4ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltag
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)540 mA
Current Rating540 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance550 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance150 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation200 mW
Rds On Max550 mΩ
Resistance550 mΩ
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time13.8 ns
Turn-On Delay Time4.1 ns
Voltage Rating (DC)20 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade