Diodes Inc. DMG2301LK-7
$ 0.121
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMG2301LK-7 | 2.545 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMG2301LK-7 | 10 | 10 | |||||||||
| Future Electronics | DMG2301LK-7 | 3.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | DMG2301LK-7DICT-ND | 7.520 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMG2301LK-7 | 0 | 3K | 1d |
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Tendência de 3 meses: -75.08%
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-05-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMG2301L-7
Single P-Channel 20 V 1.5 W 5.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Diodes Inc.DMG2302UK-7
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; 0,09ohm;0.66W; -55+150 st.C; SMD; SOT23
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMG2301LK-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET P-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
Mosfet Bvdss: 8V~24V Sot23 T&r 3K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMG2301LK-7
840mW(Ta) 12V 1V@ 250¦ÌA 3.4nC@ 10 V 1P 20V 160m¦¸@ 1A,4.5V 2.4A 156pF@6V SOT-23-3 2.9mm*1.3mm*1.03mm
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P-CH, -20V, -2.4A, SOT-23; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -2.4A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.136ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: -6
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)2.4 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance210 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance156 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation840 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation840 mW
Rds On Max160 mΩ
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11 ns
Turn-On Delay Time3.2 ns
Dimensions
Height1.1 mm
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