Diodes Inc. DMG1016V-7
$ 0.134
Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMG1016V-7 | 1.975 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMG1016V-7 | 24.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | DMG1016V-7 | 1.155 | 710 | |||||||||
| DigiKey | DMG1016V-7DICT-ND | 12.043 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMG1016V-7 | 1.463 | 1 | 11h |
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Peças relacionadas
Diodes Inc.DMG1016VQ-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 870 mA, 640 mA, 400 mohm
onsemiNTZD3156CT1G
Small Signal MOSFET 20V 540mA 550 mOhm Dual Complementary SOT-563 With 100K G-S Resistors
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMG1016V-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.87A/0.64A Automotive 6-Pin SOT-563 T/R
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 870 mA, 870 mA, 0.3 ohm
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.87A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N & P CH, 20V/-20V, SOT-563; Transistor Polarity:N and P Complement; Continuous Drain Current Id:870mA; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):0.3ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-563
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight3.005049 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)870 mA
Drain to Source Resistance700 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time20.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)6 V
Input Capacitance60.67 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation530 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation530 mW
Rds On Max400 mΩ
Resistance700 mΩ
Rise Time8.1 ns
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time28.4 ns
Turn-On Delay Time5.1 ns
Dimensions
Height600 µm
Length1.7 mm
Width1.25 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade