Diodes Inc. DMC3400SDW-7
$ 0.097
Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMC3400SDW-7 | 3.206 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMC3400SDW-7 | 18.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | DMC3400SDW-7 | 2.723 | 2012 | |||||||||
| Verical | DMC3400SDW-7 | 2.723 | 2012 | |||||||||
| TME | DMC3400SDW-7 | 1.389 | 1 | 9h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-02-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMC3400SDW-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.65A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, COMPLEMENTARY, 30V, 0.65A, 0.31W; Transistor Polarity: Complementary N and P Channel; Drain Source Voltage Vds: 30V; Continuous Drain Current Id: 650mA; On Resistance Rds(on): 0.2ohm; Transistor Mounting: Surface Mount
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)650 mA
Drain to Source Resistance400 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance55 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation310 mW
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Power Dissipation310 mW
Rds On Max400 mΩ
Schedule B8541210080
Dimensions
Height1.1 mm
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