Diodes Inc. DCX115EU-7-F
$ 0.114
Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DCX115EU-7-F | 10 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DCX115EU-7-FDICT-ND | 3.519 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DCX115EU-7-F | 0 | 1 | 19h | ||||||||
| Avnet | DCX115EU-7-F | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | DCX115EU-7-F | 0 | 3K |
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Peças relacionadas
Diodes Inc.DCX114EU-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 10 kohm
Diodes Inc.DCX144EU-7-F
Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, NPN and PNP Complement, 50 V, 50 V, 100 mA, 47 kohm
Diodes Inc.DCX114YU-7-F
Bipolar Transistors (BJT); DCX114YU-7-F; DIODES; NPN, PNP; 6; 50 V; 100 mA
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DCX115EU-7-F fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R / TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Rf Transistor, 50V, 0.1A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DCX115EU-7-F
General Purpose Transistors SOT363 NPN,PNP hFE=82 Ic=100mA
300mV@ 500¦ÌA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 200mW 5V,-5V 500nA 50V 100mA SOT-363 2.15mm*1.3mm*1mm
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
hFE Min100
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Transition Frequency250 MHz
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