Diodes Inc. BSS138DW-7-F
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-02-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.BSS138DWQ-13
Mosfet, N-Ch, 50V, 0.2A, Sot-363 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. BSS138DWQ-13
Descrições
Descrições de Diodes Inc. BSS138DW-7-F fornecidas pelos seus distribuidores.
Dual N-Channel 50 V 3.5 Ohm Surface Mount Enhancement MosFet - SOT-363
Transistor MOSFET Array Dual N-CH 50V 200mA 6-Pin SOT-363 T/R
Avnet Japan
Trans MOSFET N-CH 50V 0.2A Automotive 6-Pin SOT-363 T/R
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-363 Polarity: N/N Variants: Enhancement mode Power dissipation: 0.2 W
Mosfet, N Channel, Dual, 50V, 200Ma, Sot-363; Transistor, Polaridad:Canal N Dual; Intensidad Drenador Continua Id:200Ma; Tensión Drenaje-Fuente Vds:50V; Resistencia De Activación Rds(On):3.5Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Diodes Inc. BSS138DW-7-F
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-363
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight6.010099 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Current Rating200 mA
Drain to Source Breakdown Voltage75 V
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationDual
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance50 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs1.2 V
Number of Channels2
Number of Elements2
PackagingCut Tape
Power Dissipation200 mW
Rds On Max3.5 Ω
Resistance3.5 Ω
Schedule B8541210080
Threshold Voltage1.2 V
Turn-Off Delay Time20 ns
Turn-On Delay Time20 ns
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade