Diodes Inc. BCW68HTA
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1992-02-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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Descrições
Descrições de Diodes Inc. BCW68HTA fornecidas pelos seus distribuidores.
BCW68H Series PNP 0.8 A 45 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-23-3
45 V PNP MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT-23 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 45V 0.8A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Bipolar Transistors - BJT PNP Low Saturation
TRANSISTOR, PNP, 45V, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:45V; Transition Frequency Typ ft:100MHz; Power Dissipation Pd:330mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:350; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:2V; Continuous Collector Current Ic Max:800mA; Current Ib:100mA; Current Ic Continuous a Max:500mA; Current Ic hFE:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:100MHz; Hfe Min:100; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:330mW; Power Dissipation Ptot Max:330mW; Termination Type:SMD; Turn Off Time:400ns; Turn On Time:100ns
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Continuous Collector Current-800 mA
Current Rating-800 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min180
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current800 mA
Max Frequency100 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Power Dissipation330 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)-45 V
Dimensions
Height1.1 mm
Length3 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade