Diodes Inc. BCP5616TA
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Production
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Tendência de 3 meses: -90.30%
Modelos CAD
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-01-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Descrições
Descrições de Diodes Inc. BCP5616TA fornecidas pelos seus distribuidores.
Single Bipolar Transistor, NPN, 80 V, 1 A, 2 W, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
SINGLE BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, 1A; Available until stocks are exhausted
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R / TRANS NPN 80V 1A SOT223
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BCP5616 Series NPN 1 A 80 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-223
500mV@ 50mA,500mA NPN 2W 5V 100nA 100V 80V 1A SOT-223-3 6.5mm*3.5mm*1.55mm
SINGLE BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, 1A
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -90.30%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage500 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current1 A
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product125 MHz
hFE Min100
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)80 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.55 mm
Width3.55 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade