Diodes Inc. BC857CT-7-F
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BC857CT-7-F | 2.260 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | BC857CT-7FDICT-ND | 6.656 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | BC857CT-7-F | 0 | 1 | 11h | ||||||||
| Avnet | BC857CT-7-F | 0 | 3K | 2d | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | BC857CT-7-F | 0 | 50 | Bulk | 14h |
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Descrições
Descrições de Diodes Inc. BC857CT-7-F fornecidas pelos seus distribuidores.
DIODES INC. - BC857CT-7-F - Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 520 hFE
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General Purpose Transistors PNP Ic=100mA Vceo=45V hfe=420~800 P=150mW SOT523
TRANSISTOR, PNP, SOT523; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:100MHz; Power Dissipation Pd:150mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:520hFE; Transistor C
Transistor, Pnp, -45V, -100Ma, 150Mw, Sot-523; Transistor, Polaridad:Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:-45V; Frecuencia De Transición Ft:100Mhz; Disipación De Potencia Pd:150Mw; Corriente De Colector Dc:-100Ma |Diodes Inc. BC857CT-7-F
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-523
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight2.012816 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-650 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min420
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation150 mW
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height750 µm
Length1.6 mm
Width800 µm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade