Diodes Inc. BC857BV-7
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2003-10-03
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.BC847BVN-7
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R / TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT563
onsemiNSBA123JDXV6T5G
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
ToshibaRN4902FE,LF(CT
Transistor Silicon PNP-NPN Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)
onsemiNSBC143ZPDXV6T5
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
Descrições
Descrições de Diodes Inc. BC857BV-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
BC857 Series 45 V 100 mA 150 mW Dual PNP SMT Bipolar Transistor - SOT-563
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R / TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT563
400mV@ 5mA,100mA 2 PNP (Dual) 150mW 5V 15nA 50V 45V 100mA SOT-563 1.6mm*1.2mm*600¦Ìm
45V 150mW 290@2mA,5V 100mA 2PCSPNP SOT-666-6 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-563
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight3.005049 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-45 V
Collector Emitter Saturation Voltage-400 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)45 V
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency100 MHz
Gain Bandwidth Product100 MHz
hFE Min220
Max Breakdown Voltage45 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation150 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation150 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Dimensions
Height600 µm
Length1.6 mm
Width1.2 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade