Diodes Inc. 2DB1713-13
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-23
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 7 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.2DB1697-13
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHM2SB1132T100R
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1132T100Q
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrições
Descrições de Diodes Inc. 2DB1713-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
12V 900mW 270@500mA,2V 3A PNP SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
DIODES INC. 2DB1713-13 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 12 V, 180 MHz, 900 mW, 1.5 A, 270 hFE
PNP 12 V 3 A 900 mW Surface Mount Transistor - SOT-89-3L
Trans GP BJT PNP 12V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
250mV@ 30mA,1.5A PNP 2W 6V 100nA 15V 12V 3A SOT-89-3 SMD mount 1.6mm(height)
TRANSISTOR, PNP, 12V, 1.5A, 900mW, SOT-89
TRANSISTOR, PNP, SOT89, 0.9W; Transistor Polarity: PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 12V; Transition Frequency ft: 180MHz; Power Dissipation Pd: 900mW; DC Collector Current: 1.5A; DC Current Gain hFE: 270hFE; Transistor
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)15 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage250 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency180 MHz
Gain Bandwidth Product180 MHz
hFE Min270
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current3 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityPNP
Schedule B8541290080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency180 MHz
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade