Diodes Inc. 2DB1182Q-13
$ 0.183
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | 2DB1182Q-13 | 935 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | 2DB1182Q-13 | 2.500 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| DigiKey | 2DB1182Q-13DICT-ND | 6.588 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | 2DB1182Q-13 | 0 | 1 | 4h | ||||||||
| Avnet | 2DB1182Q-13 | 0 | 2500 | 19h |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -3.97%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Diodes Inc. 2DB1182Q-13.
Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar | |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-01-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
onsemi2SB1202T-TL-E
Bipolar Transistor, -50V, -2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA. ONSSPCDDENY1E7M;
Descrições
Descrições de Diodes Inc. 2DB1182Q-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
32V 10W 120@500mA,3V 2A PNP TO-252 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252, Plastic/Epoxy, 2 Pin
2DB11 Series PNP 1.2 W 32 V 2 A Surface Mount Power Transistor - TO-252-3
Trans GP BJT PNP 32V 2A 1200mW Automotive 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
TRANS PNP 32V 2A TO252 / 32V PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR IN TO252
Trans, Pnp, 32V, 2A, 150Deg C, 15W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. 2DB1182Q-13
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -3.97%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals2
Weight3.949996 g
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)40 V
Collector Emitter Breakdown Voltage32 V
Collector Emitter Saturation Voltage-800 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)32 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency110 MHz
Gain Bandwidth Product110 MHz
hFE Min120
Max Breakdown Voltage32 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation10 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation10 W
Transition Frequency110 MHz
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade