Alliance Memory AS6C1016-55BIN
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64K x 16 LOW VOLTAGE, ULTRA LOW POWER CMOS STATIC RAM | IC SRAM 1M PARALLEL 48BGA
Descrições
Descrições de Alliance Memory AS6C1016-55BIN fornecidas pelos seus distribuidores.
SRAM Chip Async Single 3V 1M-Bit 64K x 16 55ns 48-Pin TFBGA
Low Power CMOS SRAM 1MB 48ball TFBGA 2.7-5V 64K x 16
Standard SRAM, 64KX16, 55ns, CMOS, PBGA48
Lp Sram, 1Mb, 64K X 16, 2.7-5.5V, 48Ball Tfbga, Industrial Temp/ Tray |Alliance Memory AS6C1016-55BIN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 48TFBGA
Nomes alternativos do fabricante
Alliance Memory possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Alliance Memory também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Alliance Memory Inc
- Alliance
- ALLIED-SIGNAL INC
- ALLIANCE MEMORY Datasheet
- ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORP
- Alliance Memory Semiconductor
- Aliance Memory
- Alliance Memory Inc
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTFBGA
Number of Pins48
Number of Terminals48
Technical
Access Time55 ns
Address Bus Width16 b
Density1 Mb
InterfaceParallel
Max Operating Temperature85 °C
Max Supply Current60 mA
Max Supply Voltage5.5 V
Memory Size128 kB
Memory TypeRAM, SDR, SRAM - Asynchronous
Min Operating Temperature-40 °C
Min Supply Voltage2.7 V
Number of Circuits1
Number of Ports1
Operating Supply Voltage3 V
PackagingBulk
Temperature GradeIndustrial
Dimensions
Height - Seated (Max)1.2 mm
Length8 mm
Terminal Pitch750 µm
Width6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant