Yageo Group XP6NA1R7CMT

Name: Yageo Group XP6NA1R7CMT
Brand: Yageo Group
SKU: XP6NA1R7CMT

Power Field-Effect Transistor

$ 0.836

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		XP6NA1R7CMT	200	1	Cut Tape	2.300	2.030	1.460	1.120	1.120
Arrow Electronics		XP6NA1R7CMT	3,000	3			0.867	0.693	0.674	0.666
DigiKey		5048-XP6NA1R7CMTCT-ND	1,000	1	Cut Tape	2.620	1.683	1.149	0.848	0.848
Avnet		XP6NA1R7CMT	0	3K						0.754	7h
Farnell	2	XP6NA1R7CMT	200	1	Cut Tape	2.122*	1.365*	0.938*	0.938*	0.938*	4h

재고 내역

3개월 추세: +0.00%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Yageo Group XP6NA1R7CMT에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Farnell

Datasheet8 페이지0년 전

재고 내역

3개월간의 트렌드:

+0.00%

Powered by

공급망

Country of OriginMainland China, Taiwan

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2024-03-04

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Yageo Group XP6NA1R7CMT에 대한 설명입니다.

Power Field-Effect Transistor

IHS

MOSFET, N-CH, 60V, 190A, PMPAK;

Farnell

FET N-CH 60V 41.6A 190A PMPAK

Augswan

N-CH SINGLE 60V PMPAK5X6

TTI Europe

MOSFET, N-CH, 60V, 190A, PMPAK; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:190A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(on) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4V RoHS Compliant: Yes

Newark