Vishay SQM40N10-30_GE3

Name: Vishay SQM40N10-30_GE3
Brand: Vishay
SKU: SQM40N10-30_GE3

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

$ 1.12

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		SQM40N10-30-GE3	0	800							3d
Farnell	3	SQM40N10-30_GE3	1,311	1	Cut Tape	3.171*	2.051*	1.457*	1.053*	1.053*	4h
element14 APAC	2	SQM40N10-30_GE3	1,311	1	Cut Tape	2.452*	1.823*	1.454*	1.147*	1.147*	16h
Mouser		781-SQM40N10-30_GE3	1,831	1	Tape & Reel	3.110	2.010	1.430	1.120	1.060
Win Source		WS-SQM40N10-30_GE3	3,000	35				1.369	1.112	1.112	4h

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IHS

Datasheet10 페이지8년 전

Newark

Farnell

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-0.63%

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-09-25

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2024-12-20

LTD Date2025-06-20

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SQM40N10-30_GE3에 대한 설명입니다.

Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Verical

107W(Tc) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 62nC@ 10 V 1N 100V 30m¦¸@ 15A,10V 40A 3.345nF@25V TO-263

UnikeyIC

Mosfet,N Channel,W Diode,100V,40A,To-263

Newark

Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET

Jak Electronics

N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFET

Vishay

N-CH 100V 40A 23mOhm TO263-3 RoHSconf

Rutronik

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB

IHS

MOSFET,N CH,W DIODE,100V,40A,TO-263; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3V;

Farnell