Vishay SISS61DN-T1-GE3

Name: Vishay SISS61DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SISS61DN-T1-GE3

Transistor MOSFET P-CH 20V 111.9A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R

$ 0.556

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SISS61DN-T1-GE3	27,315	5	Cut Tape		1.260	0.901	0.825	0.825
Verical		SISS61DN-T1-GE3	5,708	73				0.827	0.622	0.622
Future Electronics		SISS61DN-T1-GE3	12,000	3K	Tape & Reel					0.615
TME	2	SISS61DN-T1-GE3	5,708	1		1.901*	1.310*	0.784*	0.551*	0.524*	6h
DigiKey	3	SISS61DN-T1-GE3CT-ND	13,522	1	Cut Tape	1.820	1.153	0.772	0.556	0.556

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IHS

Datasheet8 페이지5년 전

Future Electronics

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2018-11-27

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SISS61DN-T1-GE3에 대한 설명입니다.

Transistor MOSFET P-CH 20V 111.9A 8-Pin PowerPAK 1212-S T/R

Fly-Wing Technology

Single P-Channel 20 V 3.5 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8S

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 111.9A I(D), 20V, 0.0035ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET, P-CH, -20V, -111.9A, 150DEG C; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-111.9A; Drain Source Voltage Vds:-20V; On Resistance Rds(on):0.0029ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-4.5V; Threshold Voltage

element14 APAC

Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 111.9 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 20 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 7 / Gate-Source Voltage V = 8 / Fall Time ns = 42 / Rise Time ns = 51 / Turn-OFF Delay Time ns = 106 / Turn-ON Delay Time ns = 32 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PowerPAK 1212-8S / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 65.8

Distrelec