Vishay SISH114ADN-T1-GE3

Name: Vishay SISH114ADN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SISH114ADN-T1-GE3

Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

$ 0.356

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		SISH114ADN-T1-GE3	1,491	1	Cut Tape	1.160	0.733	0.486	0.345	0.345
Arrow Electronics		SISH114ADN-T1-GE3	95	1		0.414	0.260	0.132	0.132	0.132
Verical		SISH114ADN-T1-GE3	95	23				0.132	0.132	0.132
Onlinecomponents.com		SISH114ADN-T1-GE3	235	150	Bulk				0.430	0.405
DigiKey	3	742-SISH114ADN-T1-GE3CT-ND	6,552	1	Cut Tape	1.230	0.771	0.506	0.356	0.356

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Upverter

Datasheet9 페이지3년 전

Technical Drawing1 페이지18년 전

JRH Electronics

Future Electronics

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소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트

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공급망

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 3 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SISH114ADN-T1-GE3에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 30 V 7.5 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

Future Electronics

3.7W(Ta),39W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 32nC@ 10 V 1N 30V 7.5m¦¸@ 18A,10V 18A,35A 1.23nF@15V PPAK

UnikeyIC

Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212-SH EP T/R

Verical

VISHAY SEMICONDUCTOR SISH114ADN-T1-GE3

Rapid Electronics

Mosfet, N-Ch, 30V, 35A, 150Deg C, 39W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:35A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(On):0.0062Ohm; Rds(On) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Rohs Compliant: Yes |Vishay SISH114ADN-T1-GE3

Newark

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 35 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 7.5 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 7 / Rise Time ns = 8 / Turn-OFF Delay Time ns = 20 / Turn-ON Delay Time ns = 11 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PowerPAK 1212-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / Packaging = Cut Tape / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 39

Distrelec