Vishay SISA96DN-T1-GE3

Name: Vishay SISA96DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SISA96DN-T1-GE3

Single N-Channel 30 V 8.8 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

$ 0.23

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SISA96DN-T1-GE3	6,663	5	Cut Tape		0.587	0.379	0.379	0.379
Future Electronics		SISA96DN-T1-GE3	6,000	3K	Tape & Reel					0.290
Verical		SISA96DN-T1-GE3	3,000	3K						0.144
Arrow Electronics		SISA96DN-T1-GE3	3,000	3K						0.144
DigiKey	3	SISA96DN-T1-GE3CT-ND	14,405	1	Cut Tape	0.830	0.517	0.334	0.229	0.229

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EE Concierge	심벌풋프린트

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공급망

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SISA96DN-T1-GE3에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 30 V 8.8 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Verical

MOSFET N-CH 30V 16A PPAK1212-8 / N-Channel 30 V 16A (Tc) 26.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Win Source

N-Channel 30-V (D-S) Mosfet |Vishay SISA96DN-T1-GE3

Newark

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Semicontronic

MOSFET N-CH 30V 16A POWERPAK1212

Fly-Wing Technology

MOSFET, N-CH, 30V, 16A, POWERPAK 1212; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 16A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0073ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2.2V; Power Dissipation Pd: 26.5W; Transistor Case Style: PowerPAK 1212; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

Farnell