Vishay SIS443DN-T1-GE3

Name: Vishay SIS443DN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIS443DN-T1-GE3

Power MOSFET, P Channel, 40 V, 35 A, 0.0097 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

$ 0.768

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		SIS443DN-T1-GE3	12,000	3K						0.609	3d
Newark	3	SIS443DN-T1-GE3	6,135	1		2.600	2.600	1.130	0.811	0.811
Verical		SIS443DN-T1-GE3	2,081	49				1.120	0.980	0.980
DigiKey	3	SIS443DN-T1-GE3CT-ND	5,473	1	Cut Tape	2.290	1.462	0.991	0.725	0.725
TME	2	SIS443DN-T1-GE3	2,081	1		2.390*	1.656*	1.061*	0.828*	0.828*	1d

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Upverter

Datasheet13 페이지7년 전

Newark

Farnell

RS (Formerly Allied Electronics)

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소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드
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공급망

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

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Power MOSFET, P Channel, 40 V, 35 A, 0.0097 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

EBV Elektronik

Trans MOSFET P-CH 40V 13.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R

Avnet Japan

MOSFET -40V .0117OHM@10V 35A P-CH G-III

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.035A I(D), 40V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Semicontronic

场效应管, MOSFET, P沟道, -40V, -35A, 150度 C, 52W;

element14 APAC

MOSFET P-CH 40V 35A PPAK 1212-8

DigiKey

P-CH 40V 35A 9,7mOhm PPAK1212-8

Rutronik

MOSFET, P-CH, 40V, 35A, PPAK1212-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-35A; Drain Source Voltage Vds:-40V; On Resistance Rds(on):0.0097ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Power Dissipation Pd:52W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK 1212; No. of Pins:8; MSL:MSL 1 - Unlimited

Farnell