Vishay SIS128LDN-T1-GE3

Name: Vishay SIS128LDN-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIS128LDN-T1-GE3

Single N-Channel 80 V 15.6 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

$ 0.528

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	42AJ0531	1,055	1		1.520	1.010	0.718	0.552	0.552	3h
Newark		SIS128LDN-T1-GE3	1,055	1		0.296	0.296	0.296	0.296	0.296
Onlinecomponents.com		SIS128LDN-T1-GE3	63	150	Bulk				0.580	0.530
DigiKey	2	SIS128LDN-T1-GE3CT-ND	802	1	Cut Tape	1.570	0.993	0.660	0.471	0.471
TME	2	SIS128LDN-T1-GE3	0	1		1.350	0.963	0.599	0.539	0.539	1d

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2019-04-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SIS128LDN-T1-GE3에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 80 V 15.6 mOhm SMT TrenchFET® Power Mosfet - PowerPAK 1212-8

Future Electronics

Trans MOSFET N-CH 80V 10.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 33.7A I(D), 80V, 0.0203ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Vishay NMOS, Vds=80 V, 33.7 A, PowerPAK 1212-8, , 8

UnikeyIC

场效应管,N-通道 80-V (D-S) 场效应管, MOSFET;

element14 APAC

Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = 33.7 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 80 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 16.9 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 25 / Rise Time ns = 18 / Turn-OFF Delay Time ns = 21 / Turn-ON Delay Time ns = 18 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = PowerPAK 1212-8 / Pins = 8 / Mounting Type = SMD / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 39

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