Vishay SIR668DP-T1-RE3

Name: Vishay SIR668DP-T1-RE3
Brand: Vishay
SKU: SIR668DP-T1-RE3

Trans MOSFET N-CH 100V 95A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

$ 1.709

NRND

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	SIR668DP-T1-RE3	14,000	1	Cut Tape	3.240	2.450	2.240	2.240	2.240
Arrow Electronics		SIR668DP-T1-RE3	1	1		3.323	3.323	3.323	3.323	3.323
DigiKey	3	SIR668DP-T1-RE3CT-ND	5,257	1	Cut Tape	3.330	2.161	1.496	1.177	1.177
TTI		SIR668DP-T1-RE3	6,000	3K	Tape & Reel					0.930	2d
TME	2	SIR668DP-T1-RE3	0	3K						1.640	17h

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Future Electronics

Datasheet13 페이지6년 전

Newark

element14 APAC

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소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2017-03-22

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SIR668DP-T1-RE3에 대한 설명입니다.

Trans MOSFET N-CH 100V 95A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Verical

N-Channel 100-V (D-S) Mosfet |Vishay SIR668DP-T1-RE3

Newark

Vishay NMOS TrenchFET, Vds=100 V, 65 A, PowerPAK SO-8, , 8

UnikeyIC

Power Field-Effect Transistor, 95A I(D), 100V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Semicontronic

MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8

Future Electronics

MOSFET N-CH 100V 95A POWERPAKSO

ALLICDATA ELECTRONICS

MOSFET, N-CH, 100V, 95A, POWERPAK SO; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 95A; Drain Source Voltage Vds: 100V; On Resistance Rds(on): 0.004ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 3.4V; Power Dissipation Pd: 104W; Transistor Case Style: PowerPAK SO; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: TrenchFET Series; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)

Farnell