Vishay SIR414DP-T1-GE3

Name: Vishay SIR414DP-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SIR414DP-T1-GE3

MOSFET, N CH, 40V, 50A, POWERPAK SO; Transistor Polarity: N Channel; Continuous D

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NRND

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Newark		SIR414DP-T1-GE3	1,639	1		2.790	1.820	1.040	0.752	0.752
Verical		SIR414DP-T1-GE3	3,000	3K						0.671
Arrow Electronics		SIR414DP-T1-GE3	3,000	3K						0.693
Rutronik		TMOSP10946	12,000	3K						0.833	17h
DigiKey	3	SIR414DP-T1-GE3CT-ND	6,497	1	Cut Tape	2.520	1.616	1.101	0.810	0.810

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공급망

Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SIR414DP-T1-GE3에 대한 설명입니다.

MOSFET, N CH, 40V, 50A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D

Newark

Single N-Channel 40 V 0.0028 Ohm SMT TrenchFET Power Mosfet - PowerPak-SO-8

Future Electronics

5.4W(Ta),83W(Tc) 20V 2.5V@ 250¦ÌA 117nC@ 10 V 1N 40V 2.8m¦¸@ 20A,10V 50A 4.75nF@20V SO

UnikeyIC

Trans MOSFET N-CH 40V 33A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R

Verical

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 40V, 0.0032ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET, N CH, 40V, 50A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:50A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0023ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:83W; Operating Temperature Min:-55°C; Operating Temperature Max:150°C; Transistor Case Style:PowerPAK SO; No. of Pins:8; MSL:-

Farnell