Vishay SI4178DY-T1-GE3

Name: Vishay SI4178DY-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI4178DY-T1-GE3

N-Channel 30 V 0.021 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

$ 0.255

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	SI4178DY-T1-GE3	2,500	2500						0.196	1d
Newark	3	SI4178DY-T1-GE3	2,490	1	Cut Tape	1.090	0.685	0.485	0.364	0.364
Rutronik		TMOSP11491	5,000	2500						0.189	10h
DigiKey	3	SI4178DY-T1-GE3CT-ND	6,705	1	Cut Tape	1.080	0.673	0.439	0.306	0.306
Arrow Electronics	2	SI4178DY-T1-GE3	965	1		0.254	0.230	0.220	0.184	0.184

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Upverter

Datasheet9 페이지3년 전

Farnell

IHS

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

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공급망

Country of OriginGermany

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-06-10

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI4178DY-T1-GE3에 대한 설명입니다.

N-Channel 30 V 0.021 Ohm 5 W Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

Future Electronics

SI4178DY-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 12 A, 30 V, 8-PIN SOIC

RS (Formerly Allied Electronics)

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA

IHS

MOSFET, N CH, 30V, 12A, SOIC-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:12A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.017ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:5W; No. of Pins:8 ;RoHS Compliant: Yes

Newark