Vishay SI3459BDV-T1-GE3

Name: Vishay SI3459BDV-T1-GE3
Brand: Vishay
SKU: SI3459BDV-T1-GE3

Mosfet, P-ch, Vds -60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 0.180 Ohms, Id -2.2A, TSOP-6, Pd 2W

$ 0.306

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	3	SI3459BDV-T1-GE3	3,000	1	Cut Tape	0.968	0.968	0.402	0.283	0.283
Future Electronics		SI3459BDV-T1-GE3	15,000	3K	Tape & Reel					0.205
Rutronik		LVMOS1137	6,000	3K						0.253	1h
Arrow Electronics	2	SI3459BDV-T1-GE3	235	1		0.159	0.156	0.151	0.151	0.151
Verical	3	SI3459BDV-T1-GE3	235	39				0.151	0.151	0.151

재고 내역

3개월 추세: -43.29%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Vishay SI3459BDV-T1-GE3에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet9 페이지3년 전

Upverter

Newark

element14 APAC

Farnell

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-43.29%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Vishay SI3459BDV-T1-GE3 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
EE Concierge	심벌풋프린트

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2008-03-13

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI3459BDV-T1-GE3에 대한 설명입니다.

MOSFET, P-CH, VDS -60V, VGS +/- 20V, RDS(ON) 0.180OHMS, ID -2.2A, TSOP-6, PD 2W

RS (Formerly Allied Electronics)

Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.9 A, 0.216 ohm, TSOP, Surface Mount

Avnet

P-CH MOSFET TSOP-6 60V 180MOHM @ 10V - LEAD(PB) AND HALOGEN FREE

Future Electronics

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.0022A I(D), 60V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA

IHS

MOSFET, P-CH, -60V, -2.9A, TSOP; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -2.9A; Drain Source Voltage Vds: -60V; On Resistance Rds(on): 0.18ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -3V; P

Farnell