Vishay SI3410DV-T1-GE3

SI3410DV-T1-GE3 N-channel Mosfet Transistor, 8 A, 30 V, 6-PIN TSOP
$ 0.375
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제조업체 페이지데이터시트

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DistributorSKUMinPkg
Future ElectronicsSI3410DV-T1-GE33,0003KTape & Reel
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3
SI3410DV-T1-GE3CT-ND7,0981Cut Tape
TTISI3410DV-T1-GE39,0003KTape & Reel
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TME
2
SI3410DV-T1-GE303K
14h
Newark
2
SI3410DV-T1-GE305Cut Tape

데이터시트 및 문서

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공급망

Country of OriginGermany
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-10-16
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI3410DV-T1-GE3에 대한 설명입니다.

SI3410DV-T1-GE3 N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 8 A, 30 V, 6-PIN TSOP
RS (Formerly Allied Electronics)
Si3410DV Series 30 V 19.5 mOhm Surface Mount N-Channel MOSFET - TSOP-6
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Win Source
Small Signal Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-193AA
IHS
N CHANNEL MOSFET, 30V, 8A, TSOP; Transis; N CHANNEL MOSFET, 30V, 8A, TSOP; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):19.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; No. of Pins:6
element14 APAC

이미지

RS
Farnell
Future Electronics

제조업체 별칭

Vishay에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. Vishay는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • VIS
  • VISH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY INC
  • Vishay Thin Film
  • Vishay Intertechnology
  • VISHA
  • Vishay Semiconductors
  • VISAHY
  • Vishay Intertech
  • VISHY
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PTE LTD
  • Vishay Intertechnologies
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
  • Vishay Semiconductor Opto Division
  • VSHAY
  • VISH/IR
  • VSHY
  • VSH
  • VISHAY INTERTECHNOLOGY ASIA PT
  • VISHAY ELECTRONIC
  • VISHAY AMERICAS INC
  • Vishay Semiconductor Diodes Division
  • VISHAY OPTO
  • VISHAY FOIL RESISTORS
  • Vishay Polytech
  • Vishay Semiconductor
  • Vishay Sfernice
  • Vishay Siliconix
  • Vishay Dale
  • Vishay BCcomponents
  • Vishay Angstrohm
  • Vishay Draloric

부품 번호 별칭

이 부품은 다음과 같은 대체 부품 번호로 알려져 있을 수 있습니다.

  • SI3410DV-T1-GE3.