Vishay SI1912EDH-T1-E3

Name: Vishay SI1912EDH-T1-E3
Brand: Vishay
SKU: SI1912EDH-T1-E3

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 1.13A 6-Pin SC-70 T/R

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Farnell	2	SI1912EDH-T1-E3	0	1	Cut Tape	0.326*	0.270*	0.242*	0.209*	0.209*	3h
element14 APAC	2	SI1912EDH-T1-E3	0	5	Cut Tape		0.385*	0.306*	0.215*	0.204*	6h
Win Source		WS-SI1912EDH-T1-E3	3,871	275					0.151	0.123	18h
Fly-Wing Technology		SI1912EDH-T1-E3	107,735			1.342	1.102	1.068	0.998	0.998	3d
Anlinkda		SI1912EDH-T1-E3	41,096			0.253	0.227	0.196	0.185	0.175	2d

CAD 모델

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IHS

Datasheet6 페이지8년 전

Farnell

Newark

element14 APAC

RS (Formerly Allied Electronics)

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공급망

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 5 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Vishay SI1912EDH-T1-E3에 대한 설명입니다.

Transistor MOSFET Array Dual N-CH 20V 1.13A 6-Pin SC-70 T/R

Avnet

Small Signal Field-Effect Transistor, 1.13A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

DUAL N-CH 20V 630MOHM@2.5Vgs ESD PROTECT

Vishay

MOSFET, NN CH, 20V, SOT363; Transistor Polarity:Dual N Channel; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:450mV; Power Dissipation Pd:570mW; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-363; No. of Pins:6; Continuous Drain Current Id:1.28A; Current Id Max:1.28A; Drain Source Voltage Vds:20V; Module Configuration:Dual; On Resistance Rds(on):280mohm; Package / Case:SOT-363; Power Dissipation Pd:570mW; Voltage Vds Typ:20V; Voltage Vgs Max:450mV; Voltage Vgs Rds on Measurement:4.5V

element14 APAC