Vishay IRFU220PBF

Name: Vishay IRFU220PBF
Brand: Vishay
SKU: IRFU220PBF

Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)

$ 0.437

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		IRFU220PBF	1,141	1		1.600	0.993	0.431	0.248	0.248
Arrow Electronics		IRFU220PBF	1,961	1		1.096	0.819	0.819	0.616	0.616
Verical		IRFU220PBF	1,950	25				0.818	0.615	0.454
TME	2	IRFU220PBF	2	1		1.290	1.059	0.766	0.546	0.409	4h
DigiKey		IRFU220PBF-ND	3,030	1	Tube	2.210	2.210	1.001	0.756	0.588

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iiiC

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1990-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-06-30

LTD Date2008-09-30

설명

유통업체에서 제공한 Vishay IRFU220PBF에 대한 설명입니다.

Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 4.8A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251

IHS

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:200V; Continuous Drain Current, Id:4.8A; On Resistance, Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:IPAK ;RoHS Compliant: Yes

Newark

MOSFET, N, 200V, 4.8A, I-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.8A; Drain Source Voltage Vds:200V; On Resistance Rds(on):800mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:I-PAK; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Alternate Case Style:I-PAK; Current Id Max:4.8A; Current Temperature:25°C; Fall Time tf:13ns; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction to Case Thermal Resistance A:3°C/W; Package / Case:IPAK; Power Dissipation Pd:42W; Power Dissipation Pd:42W; Pulse Current Idm:19A; Rise Time:22ns; Termination Type:Through Hole; Turn Off Time:19ns; Turn On Time:7.2ns; Voltage Vds:200V; Voltage Vds Typ:200V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC