Vishay IRF840PBF

Name: Vishay IRF840PBF
Brand: Vishay
SKU: IRF840PBF

IRF840PBF N-channel Mosfet Transistor, 8 A, 500 V, 3-PIN TO-220AB

$ 0.76

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	IRF840PBF	21,196	1		1.125	1.071	1.059	1.059	1.059	15h
Newark	2	IRF840PBF	21,196	1		1.950	1.810	1.550	1.440	1.410
Verical	3	IRF840PBF	645	8			0.752	0.752	0.752	0.752
Arrow Electronics		IRF840PBF	645	1		0.752	0.752	0.752	0.752	0.752
Future Electronics	3	IRF840PBF	26,343	30	Tube			0.735	0.700	0.650

재고 내역

3개월 추세: -15.44%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Vishay IRF840PBF에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet7 페이지2년 전

Datasheet9 페이지14년 전

Upverter

Newark

element14 APAC

Future Electronics

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-15.44%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Vishay IRF840PBF 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA		3D	다운로드
Ultra Librarian	심벌풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginIsrael

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-07-09

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2008-06-30

LTD Date2008-09-30

설명

유통업체에서 제공한 Vishay IRF840PBF에 대한 설명입니다.

IRF840PBF N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 8 A, 500 V, 3-PIN TO-220AB

RS (Formerly Allied Electronics)

MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB / Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

Win Source

Tube Through Hole N-Channel Single Mosfet Transistor 8A Tc 8A 125W 20ns

Fly-Wing Technology

Single N-Channel 500 V 0.85 O Flange Mount Power Mosfet - TO-220

Future Electronics

Power MOSFET, N Channel, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Through Hole

Avnet

125W(Tc) 20V 4V@ 250¦ÌA 63nC@ 10 V 1N 500V 850m¦¸@ 4.8A,10V 8A 1.3nF@25V TO-220AB 9.14mm

UnikeyIC

Power MOSFET Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N, 500V, 8A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):850mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:125W; Transistor Case Style:TO-220AB; No. of Pins:3; Current Id Max:8A; Junction to Case Thermal Resistance A:1°C/W; Package / Case:TO-220AB; Power Dissipation Pd:125W; Power Dissipation Pd:125W; Pulse Current Idm:32A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:500V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

element14 APAC