Toshiba 2SC1815-Y

Name: Toshiba 2SC1815-Y
Brand: Toshiba
SKU: 2SC1815-Y

Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

Obsolete

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Distributor		SKU		Min
Win Source		WS-2SC1815-Y	10,713	585				0.100	0.077	4h
Worldway Electronics	2	2SC1815Y	15,078	7		0.280	0.272	0.257	0.257	3h
Aztech		2SC1815-Y	453		7.290	7.290	7.290	7.290	7.290	1d
Anlinkda		2SC1815-Y	114,749		0.104	0.093	0.072	0.072	0.072	1d
RC Electronics		2SC1815-Y	103,109	1	0.070	0.070	0.060	0.060	0.060	1d

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IHS

Datasheet4 페이지16년 전

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1992-08-05

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2011-10-31

LTD Date2012-01-31

설명

유통업체에서 제공한 Toshiba 2SC1815-Y에 대한 설명입니다.

Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

IHS

TRANSISTOR, NPN, TO-92; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Transition Frequency ft: -; Power Dissipation Pd: 400mW; DC Collector Current: 150mA; DC Current Gain hFE: 120hFE; Transistor Case Styl

Farnell

TRANSISTOR, NPN, TO-92; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:50V; Current Ic Continuous a Max:0.15A; Voltage, Vce Sat Max:0.25V; Power Dissipation:400mW; Min Hfe:70; ft, Typ:80MHz; ;RoHS Compliant: Yes

Newark

TRANSISTOR, NPN, TO-92; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:400mW; DC Collector Current:150mA; DC Current Gain hFE:120; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:250mV; Continuous Collector Current Ic Max:150mA; Current Ic Continuous a Max:150mA; Current Ic hFE:2mA; Gain Bandwidth ft Min:80MHz; Gain Bandwidth ft Typ:80MHz; Hfe Min:70; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-92; Pin Configuration:a; Power Dissipation Pd:400mW; Power Dissipation Ptot Max:400mW; Termination Type:Through Hole; Voltage Vcbo:60V

element14 APAC