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STMicroelectronics STW35N60DM2

N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
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TME
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STW35N60DM2
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Future Electronics
STW35N60DM2
0
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USD
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Avnet
STW35N60DM2
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USD
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2d
Arrow Electronics
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0
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USD
2.036
2.036

데이터시트 및 문서

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Future Electronics

Datasheet12 페이지10년 전

Newark

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공급망

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2015-09-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

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onsemiFCH125N60E
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세부 사항
onsemiFCH35N60
N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 35 A, 98 mΩ, TO-247
세부 사항
InfineonIPW60R099CPAFKSA1
Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 600V, 31A, 255W; |Infineon Technologies IPW60R099CPAFKSA1
세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 STMicroelectronics STW35N60DM2에 대한 설명입니다.

N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFETs in TO-247 package
STMicroelectronics
N-Channel 600 V 110 mOhm Flange Mount Mdmesh DM2 Power Mosfet - TO-247
Future Electronics
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 600V, 0.11ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
IHS
STMicroelectronics NChannel EnhancedMOSTube MDmesh DM2series, Vds=600 V, 28 A, TO-247encapsulation, Through hole mounting, 3Pin
UnikeyIC
MOSFET, N-CH, 600V, 28A, TO-247; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 28A; Drain Source Voltage Vds: 600V; On Resistance Rds(on): 0.094ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 4V; Powe
Farnell

이미지

Newark
TME
LZChips
Future Electronics
UTSource

제조업체 별칭

STMicroelectronics에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. STMicroelectronics는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics