STMicroelectronics STP13NM60N

Name: STMicroelectronics STP13NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: STP13NM60N

N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package

$ 1.922

Production

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		STP13NM60N	5,200	1K					1.332	1.286
Verical		STP13NM60N	5,000	1K					1.339	1.293
TME	2	STP13NM60N	93	1		4.350	2.960	2.320	1.640	1.300	11h
DigiKey		497-STP13NM60N-ND	1,222	1	Tube	5.390	5.390	2.551	1.972	1.849
RS (Formerly Allied Electronics)		STP13NM60N	0	1	Bulk	2.290	2.060	2.060	2.060	2.060	13h

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2009-02-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 STMicroelectronics STP13NM60N에 대한 설명입니다.

N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in TO-220 package

STMicroelectronics

STP13NM60N N-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 11 A, 600 V, 3-PIN TO-220

RS (Formerly Allied Electronics)

Power MOSFET, N Channel, 600 V, 5.5 A, 0.28 ohm, TO-220, Through Hole

Avnet

Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Verical

N-CHANNEL 600 VOLT, 280 MILLI OHM TYP., 11 AMP MDMESH II POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

ComSIT Distribution GmbH

MOSFET, N CH, 600V, 11A, TO220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:5.5A; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):280mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:90W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (19-Dec-2011); Current Id Max:11A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:90W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:600V; Voltage Vgs Max:25V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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