STMicroelectronics STGWA75H65DFB2

Name: STMicroelectronics STGWA75H65DFB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGWA75H65DFB2

Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247

$ 2.15

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Distributor		SKU		Min
Newark		STGWA75H65DFB2	412	1	6.030	3.760	3.290	3.050	3.050
Verical	2	STGWA75H65DFB2	600	4		1.899	1.899	1.899	1.899
Arrow Electronics	2	STGWA75H65DFB2	600	1	3.155	2.364	2.113	1.899	1.899
TME	2	STGWA75H65DFB2	122	1	4.920	3.080	2.650	2.560	2.560	23h
Avnet		STGWA75H65DFB2	0	600				1.937	1.821	12h

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-04-03

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 STMicroelectronics STGWA75H65DFB2에 대한 설명입니다.

Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247

Future Electronics

357W 115A 650V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS

EBEE

Trans IGBT Chip N-CH 650V 115A 357W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

Insulated Gate Bipolar Transistor, 115A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

IHS

Transistor IGBT Chip N-Channel 650V 75A 3-Pin TO-247 Tube

Avnet

TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7 / IGBT Trench Field Stop 650 V 115 A 357 W Through Hole TO-247 Long Leads

Win Source

Short-circuit rugged IGBT, TO-247 long leads, Tube

STMicroelectronics SCT

晶体管, IGBT, 650V, 115A, 357W, TO-247LL;

element14 APAC

IGBT Transistors PTD IGBT & IPM

Digi-ic_SMART PIONEER

IGBT TRENCH FS 650V 115A TO247

DigiKey

TO247 IGBT 75A 650V HB2 SERIES

Anglia

TRENCH GATE FIELD-STOP, 650 V, 7

Vigor Components

IGBT, SINGLE, 650V, 115A, TO-247LL; Continuous Collector Current:115A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.55V; Power Dissipation:357W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C RoHS Compliant: Yes

Newark