STMicroelectronics STGW60H65DFB

Name: STMicroelectronics STGW60H65DFB
Brand: STMicroelectronics
SKU: STGW60H65DFB

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

$ 2.119

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark		STGW60H65DFB	629	1		4.770	4.770	4.770	4.770	4.770
Arrow Electronics	2	STGW60H65DFB	210	1		2.609	2.609	2.087	2.065	2.065
Verical	3	STGW60H65DFB	9	3			1.839	1.839	1.839	1.839
Future Electronics	2	STGW60H65DFB	1,200	30	Tube			2.090	2.030	1.970
TME	2	STGW60H65DFB	226	1		5.698*	3.807*	3.337*	3.337*	3.337*	23h

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2013-03-12

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 STMicroelectronics STGW60H65DFB에 대한 설명입니다.

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

STMicroelectronics

Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 375000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Verical

IGBT, SINGLE, 650V, 80A, TO-247-3; DC Collector Current: 80A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.6V; Power Dissipation Pd: 375W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 650V; Transistor Case Style: TO-247; No. of Pin

Farnell

Igbt, Single, 650V, 80A, To-247; Continuous Collector Current:80A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.6V; Power Dissipation:375W; Collector Emitter Voltage Max:650V; No. Of Pins:3Pins; Operating Temperature Max:175°C; Msl:- Rohs Compliant: Yes |Stmicroelectronics STGW60H65DFB

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