다크 모드를 이제 사용할 수 있습니다! 라이트 모드와 다크 모드를 전환해 보세요. 환경설정은 로그인 시 저장됩니다.

자세히 알아보기

STMicroelectronics STGD3HF60HDT4

STGD3HF60HD Series 600 V 4.5 A, Very Fast IGBT with Ultrafast Diode - TO-252
$ 0.5
Production
데이터시트
제조업체 페이지

가격 및 재고

모든 가격 할인 보기
유통업체
SKU
최소
패키지
대량 가격
Newark
2
STGD3HF60HDT4
1,631
1
Cut Tape
USD
1.480
1.480
0.701
0.538
0.516
TME
2
STGD3HF60HDT4
2,454
1
USD
1.230
0.766
0.662
0.662
0.662
4h
DigiKey
3
497-10960-1-ND
2,105
1
Cut Tape
USD
1.560
0.981
0.650
0.462
0.346
Avnet
STGD3HF60HDT4
0
2500
USD
0.284
8h
Future Electronics
STGD3HF60HDT4
0
2500
Tape & Reel
USD
0.310

데이터시트 및 문서

STMicroelectronics STGD3HF60HDT4에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet26 페이지9년 전

Factory Futures

Future Electronics

재고 내역

3개월간의 트렌드:
-74.85%
Powered bySpectra logo

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 STMicroelectronics STGD3HF60HDT4 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스이캐드엠캐드파일
Component Search Engine
심벌풋프린트
3D
다운로드
EE Concierge
심벌풋프린트
캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.
Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2010-06-30
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 8 months ago)

관련 부품

onsemiNGTB03N60R2DT4G
ON SEMICONDUCTOR NGTB03N60R2DT4G IGBT Single Transistor, 9 A, 1.7 V, 49 W, 600 V, TO-252, 3 Pins
세부 사항
onsemiNGTB10N60R2DT4G
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 72000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
세부 사항
onsemiNGTB05N60R2DT4G
Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 3-Pin DPAK T/R
세부 사항
STMicroelectronicsSTGD6NC60HDT4
Trans IGBT Chip N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
세부 사항
STMicroelectronicsSTGD8NC60KDT4
STGD8NC60KD Series 600 V 8 A Surface Mount Short Circuit Rugged IGBT - TO-252
세부 사항
STMicroelectronicsSTGD10NC60KDT4
Igbt Single Transistor, 20 A, 2 V, 60 W, 600 V, To-252, 3 |Stmicroelectronics STGD10NC60KDT4
세부 사항

설명

유통업체에서 제공한 STMicroelectronics STGD3HF60HDT4에 대한 설명입니다.

STGD3HF60HD Series 600 V 4.5 A, Very Fast IGBT with Ultrafast Diode - TO-252
Future Electronics
Trans IGBT Chip N-CH 600V 7.5A 38W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Verical
Insulated Gate Bipolar Transistor, 13A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252
Semicontronic
IGBT, 600V, 30A, TO-247, STMicroelectronics
ComSIT Distribution GmbH
38W 7.5A 600V TO-252 IGBTs ROHS
Dasenic
38W 2.45V 600V 7.5A TO-252 SMD
UnikeyIC
IGBT, W DIODE, 600V, 7.5A, 38W, DPAK; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:7.5A; Collector Emitter Voltage Vces:600V; Power Dissipation Pd:38W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-252; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Power Dissipation Pd:38W
Farnell

이미지

Augswan
element14 APAC
Future Electronics
Lanka Micro
TME

제조업체 별칭

STMicroelectronics에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. STMicroelectronics는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • ST MICRO
  • STM
  • SGS
  • SGS THOMSON
  • INMOS
  • STMICROE
  • STMICROEL
  • STMICR
  • ST MIC
  • ST MICROELECTRONIC
  • SGS THOMPSON
  • SESCOSEM
  • STMICROELECT
  • ST8
  • STMICROELECTRON
  • WAFERSCALE
  • SGS-ATES
  • ST MICROELECTRONICS SEMI
  • ST/SGS
  • ST MICROELECTRO
  • SGST
  • THOMS
  • STMICROELE
  • WAFERSCALE INTEGRATION INC
  • SGS-Thomson Microelectronics
  • ST Microeletronics