STMicroelectronics STD25NF10LA

Name: STMicroelectronics STD25NF10LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: STD25NF10LA

N-channel 100 V, 0.030 Ohm, 25 A, DPAK STripFET(TM) II Power MOSFET

$ 0.647

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Newark	2	STD25NF10LA	3,510	5	Cut Tape		1.440	1.060	0.883	0.883
Verical		STD25NF10LA	2,487	2			0.647	0.647	0.647	0.647
Arrow Electronics		STD25NF10LA	2,487	1		0.647	0.647	0.647	0.647	0.647
DigiKey	3	497-12552-1-ND	3,622	1	Cut Tape	1.970	1.253	0.843	0.610	0.610
TME	2	STD25NF10LA	1,724	1		2.042*	1.543*	1.543*	1.543*	1.543*	2d

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Newark

Datasheet15 페이지20년 전

TME

Future Electronics

Farnell

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-10-05

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 STMicroelectronics STD25NF10LA에 대한 설명입니다.

N-channel 100 V, 0.030 Ohm, 25 A, DPAK STripFET(TM) II Power MOSFET

STMicroelectronics

STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - MOSFET Transistor, N Channel, 25 A, 100 V, 0.03 ohm, 10 V, 2.5 V

Jak Electronics

Single N-Channel 100 V 100 W 52 nC Silicon Surface Mount Mosfet - TO-252-3

Future Electronics

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.04ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA

IHS

MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.5V; Power Dissipation

element14 APAC

Mosfet, N, D-Pak; Transistor, Polaridad:Canal N; Intensidad Drenador Continua Id:25A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:100V; Resistencia De Activación Rds(On):30Mohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V; Tensión Umbral Vgs:2.5V |Stmicroelectronics STD25NF10LA

Newark