STARPOWER GD600HFY120P1S

Insulated Gate Bipolar Transistor, 951A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
$ 327.96

가격 및 재고

데이터시트 및 문서

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IHS

Datasheet10 페이지9년 전

재고 내역

3개월간의 트렌드:
-14.29%

공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

설명

유통업체에서 제공한 STARPOWER GD600HFY120P1S에 대한 설명입니다.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 951A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
Starpower GD600HFY120P1S IGBTモジュール
TRANSISTOR, IGBT MODULE, 1.2KV, 951A;
IGBT, HALF BRIDGE, 1.2KV, 951A, MODULE; Continuous Collector Current:951A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.7V; Power Dissipation:3.1kW; Operating Temperature Max:150°C; IGBT Termination:Stud; Transistor Mounting:Panel RoHS Compliant: Yes

제조업체 별칭

STARPOWER에는 유통업체가 대체하여 사용할 수 있는 전 세계 여러 브랜드가 있습니다. STARPOWER는 다음 이름으로도 알려져 있습니다:

  • STARPOWER SEMICONDUCTOR LTD
  • STARPOWER SEMICONDUCTOR
  • StarPower Europe AG