Sharp PT480FE0000F

Name: Sharp PT480FE0000F
Brand: Sharp
SKU: PT480FE0000F

No Phototransistor IR Chip 860nm 2-Pin

$ 0.258

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min
TME	2	PT480FE0000F	5,480	1	1.130	0.624	0.394	0.328	0.328	11h
Newark		PT480FE0000F	0	5		0.188	0.188	0.188	0.188
Farnell		PT480FE0000F	0	5		0.185*	0.185*	0.185*	0.185*	11h
element14 APAC		PT480FE0000F	0	5		0.615*	0.447*	0.332*	0.332*	2h
Win Source		WS-PT480FE0000F	2,050	55			0.984	0.656	0.656	13h

재고 내역

3개월 추세: -44.90%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Sharp PT480FE0000F에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet7 페이지19년 전

DigiKey

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-44.90%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 Sharp PT480FE0000F 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.40.70.80

Introduction Date1994-01-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 Sharp PT480FE0000F에 대한 설명입니다.

No Phototransistor IR Chip 860nm 2-Pin

Verical

PHOTOTRANSISTOR; Wavelength Typ: 860nm; Viewing Angle: -; Power Consumption: 75mW; No. of Pins: 2Pins; Transistor Case Style: Side Looking; Product Range: -; Automotive Qualification Stand; Available until stocks are exhausted

Farnell

PHOTOTRANSISTOR; Transistor Type:Phototransistor; Half Angle:13°; Case Style:Radial; Sensitivity Nom @ mW/cm2:0.8mA@1mW/cm2; Current, Ic Typ:0.8mA; Time, Rise:3µs; Operating Temperature Range:-25°C to +85°C; External Depth:2.8mm; ;RoHS Compliant: Yes

Newark

PHOTOTRANSISTOR; Transistor Polarity:NPN; Wavelength Typ:860nm; Power Consumption:75mW; Transistor Case Style:Side Looking; No. of Pins:2; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:0.4V; Continuous Collector Current Ic Max:3mA; Current Ic Typ:0.8mA; Dark Current:100nA; External Depth:2.8mm; External Length / Height:4.0mm; External Width:3mm; Fall Time tf:3.5µs; Half Angle:13°; Lead Diameter:0.4mm; Lead Length:17.5mm; Lead Spacing:2.54mm; Nom Sensitivity @ mW/cm²:800µmA @ 1mW / cm²; Operating Temperature Max:+85°C; Operating Temperature Min:-25°C; Operating Temperature Range:-25°C to +85°C; Package / Case:Radial; Peak Wavelength:860nm; Power Dissipation Pd:75mW; Power Dissipation Pd:75mW; Reverse Protection Voltage:6V; Rise Time:3µs; Storage Temperature Max:+85°C; Storage Temperature Min:-40°C; Termination Type:Radial Leaded; Transistor Type:Photo

element14 APAC