Semikron SKM200GB12T4

Name: Semikron SKM200GB12T4
Brand: Semikron
SKU: SKM200GB12T4

Insulated Gate Bipolar Transistor, 310A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

$ 233.93

데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	SKM200GB12T4	55	1		251.17	251.17	251.17	251.17	251.17
RS (Formerly Allied Electronics)	SKM200GB12T4	0	12	Bulk			226.54	216.69	216.69	2h
element14 APAC	SKM200GB12T4	55	1		233.60*	221.08*	221.08*	221.08*	221.08*	2h
Farnell	SKM200GB12T4	55	1		246.17*	235.88*	235.88*	235.88*	235.88*	13h
ATI ACCURATE TECHNOLOGY	SKM200GB12T4-SEMIKRON	5			218.00	185.30	185.30	185.30	185.30	4h

재고 내역

3개월 추세: Restocked

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

Semikron SKM200GB12T4에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Farnell

Datasheet5 페이지16년 전

element14 APAC

Newark

RS (Formerly Allied Electronics)

iiiC

재고 내역

3개월간의 트렌드:

Restocked

Powered by

설명

유통업체에서 제공한 Semikron SKM200GB12T4에 대한 설명입니다.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 310A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

Semicontronic

IGBT MODULE, DUAL N CH, 1.2KV, 313A; Transistor Polarity: Dual N Channel; DC Collector Current: 313A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.8V; Power Dissipation Pd: -; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Tra

Farnell

Igbt, Module, 1.2Kv, 313A, Semitrans 3; Dc Collector Current:313A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(On):1.8V; Power Dissipation Pd:-; Junction Temperature, Tj Max:175°C; Igbt Termination:stud; Product Range:- Rohs Compliant: Yes

Newark

Features: V CE(sat ) with positive temperaturecoefficient High short circuit capability, selflimiting to 6 x I cnom Fast & soft inverse CAL diodes Large clearance (10 mm) andcreepage distances (20 mm) Isolated copper baseplate using DBCTechnology (Direct Copper Bonding4) UL recognized, file no. E63532 Typical Applications: AC inverter drives UPS Electronic welders at f sw up to 20 kHz

Semikron