Semikron SKM150GM12T4G

Name: Semikron SKM150GM12T4G
Brand: Semikron
SKU: SKM150GM12T4G

Insulated Gate Bipolar Transistor, 229A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

$ 201.365

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Newark	SKM150GM12T4G	0	12				217.18	217.18	217.18
RS (Formerly Allied Electronics)	SKM150GM12T4G	0	12	Bulk			193.99	185.55	185.55	2h
ATI ACCURATE TECHNOLOGY	SKM150GM12T4G-SEMIKRON	3			227.00	192.95	192.95	192.95	192.95	3h
IC Components Ltd.	SKM150GM12T4G	2,002			109.65	109.65	109.65	109.65	109.65	3d
Aztech	SKM150GM12T4G	524			6.010	6.010	6.010	6.010	6.010	1d

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Newark

Datasheet5 페이지16년 전

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Datasheet5 페이지12년 전

iiiC

설명

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Insulated Gate Bipolar Transistor, 229A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

Semicontronic

Transistor; Transistor Type:IGBT Module;; Transistor; Transistor Type:IGBT Module; DC Collector Current:229A; Collector Emitter Voltage Vces:1.2kV; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:940mV; No. of Pins:7; Package / Case:SEMITRANS 3

element14 APAC

Transistor; Corriente De Colector Dc:229A; Tensión De Saturación Colector-Emisor Vce(On):1.2Kv; Disipación De Potencia Pd:-; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:940Mv; Núm. De Contactos:7; Temperatura De Trabajo Máx.:175°C |Semikron SKM150GM12T4G

Newark

Features: IGBT4 = 4. Generation Fast Trench IGBT (Infineon) CAL4 = Soft switching 4. Generation CAL-Diode Isolated copper baseplate using DBC Technology (Direct Copper Bonding) UL recognized, file no. E63532 Increased power cycling capability With integrated Gate resistor For higher switching frequenzies up to 20kHz Typical Applications: Matrix Inverter Bidirectional switch

Semikron