ROHM RQ3E120ATTB

Name: ROHM RQ3E120ATTB
Brand: ROHM
SKU: RQ3E120ATTB

RQ3E120AT Series -30 V -39 A 8 mOhm Surface Mount Power Mosfet - HSMT-8

$ 0.342

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff	2	ST64796344	23,995	1		0.491	0.491	0.363	0.307	0.302	3h
Verical	3	RQ3E120ATTB	3,523	8			0.741	0.486	0.342	0.263
Arrow Electronics		RQ3E120ATTB	3,523	8			0.741	0.486	0.342	0.297
DigiKey	3	RQ3E120ATTBCT-ND	1,321	1	Cut Tape	1.230	0.771	0.506	0.356	0.356
TME	2	RQ3E120ATTB	2,942	1		1.095	0.686	0.461	0.435	0.435	22h

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IHS

Datasheet13 페이지5년 전

Newark

Rohm SCT

Future Electronics

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공급망

Country of OriginJapan, Mainland China, Thailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-07-16

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 month ago)

설명

유통업체에서 제공한 ROHM RQ3E120ATTB에 대한 설명입니다.

RQ3E120AT Series -30 V -39 A 8 mOhm Surface Mount Power Mosfet - HSMT-8

Future Electronics

Pch -30V -12A Middle Power Mosfet Rohs Compliant: Yes |Rohm RQ3E120ATTB

Newark

Trans MOSFET P-CH 30V ±12A 8-Pin HSMT Embossed Tape and Reel

Avnet Japan

2W(Ta) 20V 2.5V@1mA 62nC@ 10 V 1P 30V 8m¦¸@ 12A,10V 12A 3.2nF@15V HSMT-8 900¦Ìm

Unikeyic (ICkey)

Trans MOSFET P-CH 30V 12A Automotive 8-Pin HSMT EP T/R

Verical

30V 39A 20W 11.3mΩ@4.5V,12A 2.5V@1mA P Channel HSMT8 MOSFETs ROHS

HQonline

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 30V, 0.0113ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

30V 39A 2W 8mΩ@12A,10V P Channel HSMT8 MOSFETs ROHS

Dasenic

RQ3E120ATTB; 30V; 7A; P-CHANNE

Sensible Micro

MOSFET, P-CH, -30V, -39A, HSMT; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -39A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.0061ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -2.5V; Power Dissipation Pd: 20W; Transistor Case Style: HSMT; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

Farnell