ROHM EMD3T2R

Name: ROHM EMD3T2R
Brand: ROHM
SKU: EMD3T2R

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R

$ 0.108

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Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST47843320	3,165	1		0.117	0.117	0.117	0.081	0.072	19h
Verical	3	EMD3T2R	18,353	30				0.050	0.050	0.050
Arrow Electronics		EMD3T2R	18,353	1		0.079	0.050	0.039	0.039	0.039
TME	2	EMD3T2R	0	1		0.390	0.257	0.154	0.108	0.086	1d
Newark		EMD3T2R	0	5	Cut Tape		0.294	0.202	0.130	0.130

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IHS

Datasheet10 페이지11년 전

Rohm SCT

Newark

element14 APAC

iiiC

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공급망

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)

설명

유통업체에서 제공한 ROHM EMD3T2R에 대한 설명입니다.

Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin EMT T/R

Verical

DUAL GENERAL PURPOSE DIGITAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon

ComSIT Distribution GmbH

EMD3 Series 50 V 100 mA SMT NPN/PNP Digital Transistor - EMT-6

Future Electronics

300mV@ 500¦ÌA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 150mW 500nA 50V 100mA SOT 1.6mm*1.2mm*500¦Ìm

UnikeyIC

Dig.Transistor NPN/PNP 50V 0.1A 10K EMT6

RS APAC

element14 APAC

Bias Transistor, 10K/10K, Sc-107C-6; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:50V; Intensidad De Collector Continua Ic:100Ma; Resitencia Básica De Entrada R1:10Kohm; Resistor R2 Base-Emisor:10Kohm; Ratio De La Resistencia, R1/R2:1 |Rohm EMD3T2R

Newark

TRANSISTOR DUAL DIGITAL, EMT PNP/NPN; Digital Transistor Polarity: NPN and PNP Complement; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50V; Continuous Collector Current Ic: 100mA; Base Input Resistor R1: 10kohm; Base-Emitter Resistor R2: 10kohm; Resistor Ratio, R1 / R2: 1(Ratio); RF Transistor Case: -; No. of Pins: 6 Pin; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Current Ic Continuous a Max: 100mA; DC Collector Current: 100mA; DC Current Gain hFE: 30hFE; Gain Bandwidth ft Typ: 250MHz; Hfe Min: 30; Module Configuration: Dual; No. of Pins: 6Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Power Dissipation Pd: 150mW; Transistor Case Style: EMT; Transistor Type: General Purpose; Transition Frequency ft: 250MHz

Farnell