ROHM 2SD1767T100R

Name: ROHM 2SD1767T100R
Brand: ROHM
SKU: 2SD1767T100R

Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

$ 0.18

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
CoreStaff		ST67701120	151,109	1		0.138	0.138	0.132	0.072	0.066	17h
DigiKey	2	2SD1767T100RCT-ND	854	1	Cut Tape	1.020	0.634	0.414	0.319	0.319
Farnell		2SD1767T100R	0	1		0.530*	0.530*	0.290*	0.225*	0.177*	1d
Mouser		755-2SD1767T100R	718	1	Tape & Reel	1.020	0.634	0.415	0.288	0.215
Component Stockers USA		2SD1767T100R	4,184			0.600	0.520	0.360	0.260	0.260	14h

재고 내역

3개월 추세: -0.30%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

ROHM 2SD1767T100R에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet3 페이지21년 전

element14 APAC

_legacy Avnet

Farnell

iiiC

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-0.30%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 ROHM 2SD1767T100R 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Ultra Librarian	심벌풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginSouth Korea, Thailand

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1994-05-01

설명

유통업체에서 제공한 ROHM 2SD1767T100R에 대한 설명입니다.

Power Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

IHS

Trans GP BJT NPN 80V 0.7A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R

Avnet

400mV@ 50mA,500mA NPN 2W 5V 500nA 80V 80V 700mA MPT-3 4.5mm*2.5mm*1.5mm

UnikeyIC

TRANSISTOR SOT-89;BCE NPN; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:80V; Transition Frequency Typ ft:120MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:500mA; DC Current Gain hFE:120; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-89; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Collector Emitter Voltage Vces:400mV; Current Ic Continuous a Max:500mA; Gain Bandwidth ft Typ:120MHz; Hfe Min:120; Package / Case:SOT-89; Power Dissipation Pd:500mW; Termination Type:SMD; Transistor Type:Power Bipolar

element14 APAC

TRANSISTOR SOT-89;BCE NPN; Transistor Type:Medium Power; Transistor Polarity:NPN; Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:80V; Current Ic Continuous a Max:500mA; Voltage, Vce Sat Max:400mV; Power Dissipation:500mW; Min Hfe:120; ft, ;RoHS Compliant: Yes

Newark