onsemi SI3443DV

Name: onsemi SI3443DV
Brand: onsemi
SKU: SI3443DV

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -4A, 65mΩ

$ 0.118

Obsolete

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Arrow Electronics		SI3443DV	1	1		0.077	0.077	0.077	0.077	0.077
Rochester Electronics		SI3443DV	304					0.191	0.159	0.141	2h
Farnell	2	SI3443DV	0	5	Cut Tape		0.169*	0.169*	0.169*	0.169*	1d
Worldway Electronics		SI3443DV	28,529	7	Bulk		0.047	0.046	0.043	0.043	2h
Fmall Co., Limited		SI3443DV	33,080			0.127	0.127	0.118	0.112	0.102	>1wk

재고 내역

3개월 추세: -76.69%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

0개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

onsemi SI3443DV에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

IHS

Datasheet6 페이지4년 전

Datasheet5 페이지25년 전

Upverter

onsemi

Newark

element14 APAC

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-76.69%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 onsemi SI3443DV 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

공급망

Country of OriginPhilippines

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95

Introduction Date2001-04-17

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 3 days ago)

LTB Date2022-01-31

LTD Date2023-01-31

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 3 days ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi SI3443DV에 대한 설명입니다.

P-Channel 2.5V Specified PowerTrench® MOSFET -20V, -4A, 65mΩ

onsemi

Si3443DV Series 40 V 4 A 65 mOhm P-Channel Specified PowerTrench MOSFET - SSOT-6

Future Electronics

Transistor; Transistor Type:MOSFET; Continuous Drain Current, Id:-4A; Drain Source Voltage, Vds:-20V; On Resistance, Rds(on):0.065ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-4.5V; Threshold Voltage, Vgs Typ:-0.7V; Power Dissipation, Pd:1.6W ;RoHS Compliant: Yes

Newark

This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced using Fairchild's advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. These devices have been designed to offer exceptional power dissipation in a very small footprint for applications where the larger packages are impractical.

Fairchild Semiconductor