onsemi NXH450B100H4Q2F2SG

Name: onsemi NXH450B100H4Q2F2SG
Brand: onsemi
SKU: NXH450B100H4Q2F2SG

Insulated Gate Bipolar Transistor, 101A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel

$ 128.98

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Distributor		SKU		Min	Pkg
DigiKey		5556-NXH450B100H4Q2F2SG-ND	36	1	Tray	153.64	153.64	129.88	129.88	129.88
Avnet	2	NXH450B100H4Q2F2SG	24	36				136.72	128.28	128.28	11h
Newark		NXH450B100H4Q2F2SG	36	1		153.21	153.00	152.89	152.89	152.89
Arrow Electronics		NXH450B100H4Q2F2SG	36	12				66.630	66.630	66.630
Verical	2	NXH450B100H4Q2F2SG	36	12				66.630	66.630	66.630

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IHS

Datasheet14 페이지3년 전

Master Electronics

Future Electronics

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+6.85%

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-02-29

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi NXH450B100H4Q2F2SG에 대한 설명입니다.

Insulated Gate Bipolar Transistor, 101A I(C), 1000V V(BR)CES, N-Channel

IHS

Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Solder pins

onsemi

1000V,75A FSIII IGBT, Mid Speed with Solder Pins

Future Electronics

Trans IGBT Module N-CH 1000V 101A 234W Tray

Verical

IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM

DigiKey

IGBT MODULE, 1KV, 101A; Continuous Collector Current:101A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.7V; Power Dissipation:234W; Operating Temperature Max:175°C; IGBT Termination:Solder; Collector Emitter Voltage Max:1kV RoHS Compliant: Yes

Newark