onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G

Name: onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G
Brand: onsemi
SKU: NXH350N100H4Q2F2P1G

Trans IGBT Module N-CH 1000V 303A/303A/298A/298A 592mW Tray

$ 150.374

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Future Electronics	NXH350N100H4Q2F2P1G	36	36	Tray			153.65	153.65	153.65
Verical	NXH350N100H4Q2F2P1G	36	12				147.53	147.53	147.53
Arrow Electronics	NXH350N100H4Q2F2P1G	36	12				147.53	147.53	147.53
DigiKey	5556-NXH350N100H4Q2F2P1G-ND	36	1	Tray	185.91	185.91	185.91	185.91	185.91
Flip Electronics	NXH350N100H4Q2F2P1G	36								2d

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IHS

Datasheet20 페이지3년 전

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Future Electronics

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-07-30

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi NXH350N100H4Q2F2P1G에 대한 설명입니다.

Trans IGBT Module N-CH 1000V 303A/303A/298A/298A 592mW Tray

Verical

Si/SiC Hybrid Module - EliteSiC, I-Type NPC 1000 V, 350 A IGBT, 1200 V, 100 A SiC Diode, Q2 Package Press-fit pins

onsemi

1000 V 303 A 276 W IGBT Module Chassis Mount PIM42 Q2PACK

Future Electronics

Insulated Gate Bipolar Transistor

IHS

IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM

DigiKey

IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42

Vigor Components

IGBT MODULE, 1KV, 303A; Continuous Collector Current:303A; Collector Emitter Saturation Voltage:1.63V; Power Dissipation:592W; Operating Temperature Max:175°C; IGBT Termination:Press Fit; Collector Emitter Voltage Max:1kV RoHS Compliant: Yes

Newark