onsemi NXH010P120MNF1PTG

Name: onsemi NXH010P120MNF1PTG
Brand: onsemi
SKU: NXH010P120MNF1PTG

Dual N-Channel 1200 V 114 A 413 W 14 mOhm Silicon Carbide MOSFET Module - PIM-18

$ 106.852

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		NXH010P120MNF1PTG	140	28				113.88	106.85	106.85	14h
Newark	2	NXH010P120MNF1PTG	11	1		127.37	127.37	127.37	127.37	127.37
Verical	2	NXH010P120MNF1PTG	28	28				67.170	67.170	67.170
Arrow Electronics		NXH010P120MNF1PTG	3	28				67.170	67.170	67.170
DigiKey		5556-NXH010P120MNF1PTG-ND	28	1	Tray	131.62	131.62	108.19	108.19	108.19

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IHS

Datasheet12 페이지2년 전

Newark

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Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

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Dual N-Channel 1200 V 114 A 413 W 14 mOhm Silicon Carbide MOSFET Module - PIM-18

Future Electronics

SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 114A I(D), 1200V, 0.014ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

Sic Mosfet, Dual N-Ch, 1.2Kv/114A/Module; Mosfet Module Configuration:Half Bridge; Channel Type:Dual N Channel; Continuous Drain Current Id:114A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:18Pins; Rds(On) Test Voltage:20V Rohs Compliant: Yes |Onsemi NXH010P120MNF1PTG

Newark