onsemi NTH4L040N120SC1

Name: onsemi NTH4L040N120SC1
Brand: onsemi
SKU: NTH4L040N120SC1

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247

$ 12.814

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Avnet	2	NTH4L040N120SC1	6,750	450				13.911	12.867	3d
Newark		NTH4L040N120SC1	450	1	11.440	11.440	11.440	11.440	11.440
Arrow Electronics	2	NTH4L040N120SC1	882	1	11.778	11.778	11.778	11.778	11.778
Verical	2	NTH4L040N120SC1	25	25			16.075	14.388	13.538
Rochester Electronics		NTH4L040N120SC1	25				12.860	11.510	10.830	14h

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IHS

Datasheet8 페이지3년 전

Future Electronics

Farnell

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공급망

Country of OriginMainland China

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-01-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi NTH4L040N120SC1에 대한 설명입니다.

Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 58 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247

EBV Elektronik

SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4 / N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Win Source

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-4L

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 58A I(D), 1200V, 0.056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247

IHS

1.2kV 58A 40m´Î@20V35A 319W 3V@10mA 11pF@800V N Channel 1.762nF@800V 106nC@-5~20V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-247-4 MOSFETs ROHS

Dasenic

Sic Mosfet, N-Ch, 20V, 58A, To-247; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:58A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:20V; Power Dissipation:319W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTH4L040N120SC1

Newark