onsemi NTF5P03T3G

Name: onsemi NTF5P03T3G
Brand: onsemi
SKU: NTF5P03T3G

P-Channel 30 V 100 mOhm 1.56 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-223

$ 0.297

Production

제조업체 페이지 데이터시트

가격 및 재고

공인 유통업체

비공인 재고 유통업체

비공인 딜러

모든 가격 할인 보기

Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	2	06R3475	2,868	1		1.150	1.150	0.562	0.562	0.562	4h
Newark	2	NTF5P03T3G	2,768	1	Cut Tape	0.324	0.324	0.324	0.324	0.324
Arrow Electronics	2	NTF5P03T3G	169	1		0.339	0.316	0.257	0.257	0.257
Verical	3	NTF5P03T3G	169	23				0.257	0.257	0.257
Master Electronics		NTF5P03T3G	4,000	100				0.282	0.270	0.239

재고 내역

3개월 추세: -30.42%

CAD 모델

심볼, 풋프린트 및 3D STEP 다운로드

대체 부품

1개의 부품을 구매할 수 있습니다

데이터시트 및 문서

onsemi NTF5P03T3G에 대한 데이터시트 및 제조업체 설명서를 다운로드하세요.

Master Electronics

Datasheet7 페이지14년 전

IHS

Upverter

onsemi

Newark

재고 내역

3개월간의 트렌드:

-30.42%

CAD 모델

신뢰할 수 있는 파트너로부터 onsemi NTF5P03T3G 심벌, 풋프린트 및 3D STEP 모델을 다운로드하세요.

소스	이캐드	엠캐드	파일
Component Search Engine	심벌풋프린트	3D	다운로드
EE Concierge	심벌풋프린트
SnapEDA	풋프린트	3D	다운로드
Ultra Librarian	심벌풋프린트		다운로드

캐드 모델 다운로드 시 새 탭으로 파트너 사이트가 열립니다.

Octopart의 CAD를 다운로드함으로써 , Octopart의 이용약관 및 개인정보 보호정책에 동의하는 것으로 간주됩니다.

대체 부품

이 부품

대체 부품

onsemiNTF5P03T3G

onsemiNTF5P03T3

Price @ 1000

$ 0.297

$ 0.186

Stock

1,349,132

15,964

Authorized Distributors

Mount

Surface Mount

Case/Package

SOT-223-4

SOT-223

Drain to Source Voltage (Vdss)

30 V

Continuous Drain Current (ID)

3.7 A

Threshold Voltage

-1.75 V

Rds On Max

100 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Power Dissipation

3.13 W

Input Capacitance

950 pF

공급망

Country of OriginMalaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2001-09-01

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 5 years ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi NTF5P03T3G에 대한 설명입니다.

P-Channel 30 V 100 mOhm 1.56 W Surface Mount Power Mosfet - SOT-223

Future Electronics

NTF5P03T3G P-CHANNEL MOSFET TRANSISTOR, 2.9 A, 30 V, 3 + TAB-PIN SOT-223

RS (Formerly Allied Electronics)

Single P-Channel Power MOSFET -30V, -5A, 100mΩ

onsemi

Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 30V, 0.1ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA

Semicontronic

PFET SOT223 5.2A 30V TR; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -5.2A; Drain Source Voltage Vds: -30V; On Resistance Rds(on): 0.1ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -1.75V; Power D

Farnell

P Channel Mosfet, -30V, 5.2A, Sot-223, Full Reel; Channel Type:P Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:5.2A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Power Dissipation:3.13W Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTF5P03T3G.

Newark

Transistor Polarity = P-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) A = -5.2 / Drain-Source Voltage (Vds) V = -30 / ON Resistance (Rds(on)) mOhm = 100 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 24 / Rise Time ns = 45 / Turn-OFF Delay Time ns = 23 / Turn-ON Delay Time ns = 16 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Reflow Temperature Max. °C = 260 / Power Dissipation (Pd) W = 3.1

Distrelec