onsemi NTBG045N065SC1

Name: onsemi NTBG045N065SC1
Brand: onsemi
SKU: NTBG045N065SC1

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 31 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L SIC MOS D2PAK-7L 650V

$ 6.863

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet	3	NTBG045N065SC1	1,600	800					7.871	7.445	13h
Newark		NTBG045N065SC1	64	1	Cut Tape	7.830	7.830	7.830	7.830	7.830
Rochester Electronics		NTBG045N065SC1	541					6.890	6.160	5.800	10h
Verical	3	NTBG045N065SC1	1,315	1		11.724	8.875	7.570	6.731	6.731
Arrow Electronics	2	NTBG045N065SC1	1,315	1		11.724	8.875	7.570	6.731	6.731

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IHS

Datasheet8 페이지3년 전

Farnell

Future Electronics

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공급망

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2020-03-23

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 days ago)

Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 4 days ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi NTBG045N065SC1에 대한 설명입니다.

Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 31 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L SIC MOS D2PAK-7L 650V

onsemi

NTBG045N065SC1 Series N-Channel 650 V 50 mOhm Silicon Carbide MOSFET - D2PAK-7

Future Electronics

Mosfet, N-Ch, 650V, 62A, To-263 Rohs Compliant: Yes |Onsemi NTBG045N065SC1

Newark

Power Field-Effect Transistor, 73.7A I(D), 650V, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263CB

IHS

650V 62A 31m´Î@18V25A 242W 2.8V@8mA 15pF@325V N Channel 1.89nF@325V 105nC@-5~18V -55¡Í~+175¡Í@(Tj) TO-263-7L MOSFETs ROHS

Dasenic

SIC MOSFET, N-CH, 18V, 62A, TO-263; MOSFET Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:62A; Drain Source Voltage Vds:650V; No. of Pins:7Pins; Rds(on) Test Voltage: 81AJ0220

Farnell