onsemi NGTB30N60L2WG

Name: onsemi NGTB30N60L2WG
Brand: onsemi
SKU: NGTB30N60L2WG

IGBT, N-Channel with Low VF Switching Diode, 600V, 30A, VCE(sat)=1.4V

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Farnell	NGTB30N60L2WG	0	1		2.822*	2.822*	2.822*	2.822*	2.822*	12h
Microchip USA	NGTB30N60L2WG	306	50	Tray			29.770	29.770	29.770	7h
Win Source	WS-NGTB30N60L2WG	3,500	9			7.151	4.768	4.768	4.768	14h
Worldway Electronics	NGTB30N60L2WG	14,025	7	Tube		0.298	0.282	0.251	0.251	12h
Fmall Co., Limited	NGTB30N60L2WG	29,860			3.445	3.445	3.223	3.037	2.778	>1wk

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IHS

Datasheet0 페이지0년 전

공급망

Country of OriginSouth Korea

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2014-03-19

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 days ago)

LTB Date2021-04-09

LTD Date2021-10-09

Manufacturer Lifecycle StatusOBSOLETE (Last Updated: 4 days ago)

설명

유통업체에서 제공한 onsemi NGTB30N60L2WG에 대한 설명입니다.

IGBT, N-Channel with Low VF Switching Diode, 600V, 30A, VCE(sat)=1.4V

onsemi

IGBT 600V 30A TO247 / IGBT 600 V 100 A 225 W Through Hole TO-247-3

Win Source

Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 3-Pin TO-247 Tube

Avnet

Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel

IHS

Transistor, Igbt, N-Ch, 600V, 30A, To247

Newark

RES SMD 1.96M OHM 1% 1/8W 0805

Utmel Electronic

TRANSISTOR, IGBT, N-CH, 600V, 30A, TO247; DC Collector Current: 30A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 1.4V; Power Dissipation Pd: 225mW; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V; Transistor Case Style: TO-247; No

Farnell